NTMFS4985NFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFS4985NFT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
Specifiche:	NTMFS4985NFT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	64190 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64190 pcs

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Specifiche di NTMFS4985NFT1G

Modello di prodotti	NTMFS4985NFT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	64190 pcs	Scheda dati	NTMFS4985NFT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.63W (Ta), 22.73W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	NTMFS4985NFT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17.5A (Ta), 65A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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