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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modello di prodotti | NTMS7N03R2G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 186776 pcs | Scheda dati | NTMS7N03R2G.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | NTMS7N03R2GOS NTMS7N03R2GOS-ND NTMS7N03R2GOSTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
