NTP52N10G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTP52N10G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Specifiche:	NTP52N10G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5763 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5763 pcs

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Specifiche di NTP52N10G

Modello di prodotti	NTP52N10G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5763 pcs	Scheda dati	NTP52N10G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 26A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	NTP52N10GOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3150pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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