NVF6P02T3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVF6P02T3G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Specifiche:	NVF6P02T3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	128095 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 128095 pcs

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Specifiche di NVF6P02T3G

Modello di prodotti	NVF6P02T3G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	128095 pcs	Scheda dati	NVF6P02T3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223 (TO-261)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	50 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	8.3W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	NVF6P02T3G-ND NVF6P02T3GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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