NVJS4405NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVJS4405NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88
Specifiche:	NVJS4405NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	552419 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 552419 pcs

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Specifiche di NVJS4405NT1G

Modello di prodotti	NVJS4405NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	552419 pcs	Scheda dati	NVJS4405NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	350 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	630mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	13 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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