NVMFD5483NLT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVMFD5483NLT3G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Specifiche:	NVMFD5483NLT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	102332 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 102332 pcs

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Specifiche di NVMFD5483NLT3G

Modello di prodotti	NVMFD5483NLT3G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	102332 pcs	Scheda dati	NVMFD5483NLT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	36 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max	3.1W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	39 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	668pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23.4nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.4A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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