SSR1N60BTM_F080

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SSR1N60BTM_F080
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Specifiche:	SSR1N60BTM_F080.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	6007 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6007 pcs

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Specifiche di SSR1N60BTM_F080

Modello di prodotti	SSR1N60BTM_F080	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	6007 pcs	Scheda dati	SSR1N60BTM_F080.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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