ALD1110ESAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ALD1110ESAL
Costruttore / Marca:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Specifiche:	ALD1110ESAL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	22665 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22665 pcs

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Specifiche di ALD1110ESAL

Modello di prodotti	ALD1110ESAL	fabbricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	22665 pcs	Scheda dati	ALD1110ESAL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.01V @ 1µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	EPAD®	Rds On (max) a Id, Vgs	500 Ohm @ 5V
Potenza - Max	600mW	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	8 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	10V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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