DLE30E

ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DLE30E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Specifiche:	DLE30E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5915 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5915 pcs

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Specifiche di DLE30E

Modello di prodotti	DLE30E	fabbricante	ON Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5915 pcs	Scheda dati	DLE30E.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	3A
Tensione - Ripartizione	Axial	Serie	-
Stato RoHS	Bulk	Tempo di ripristino inverso (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	DO-201AD, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione	30ns	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	DLE30E
Descrizione espansione	Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial	Configurazione diodo	20µA @ 400V
Descrizione	DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL	Corrente - Dispersione inversa a Vr	1.25V @ 1A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	400V	Capacità a Vr, F	150°C (Max)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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