BDW83B

Central Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BDW83B
Costruttore / Marca:	Central Semiconductor
Descrizione del prodotto	POWER TRANSISTOR NPN TO218
Specifiche:	BDW83B.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4112 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4112 pcs

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Specifiche di BDW83B

Modello di prodotti	BDW83B	fabbricante	Central Semiconductor
Descrizione	POWER TRANSISTOR NPN TO218	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4112 pcs	Scheda dati	BDW83B.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	80V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	-
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	TO-218
Serie	-	Potenza - Max	130W
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-218-3
temperatura di esercizio	-	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione	-	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	750 @ 6A, 3V	Corrente - Cutoff collettore (max)	-
Corrente - collettore (Ic) (max)	15A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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