1N4007B-G

Comchip Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1N4007B-G
Costruttore / Marca:	Comchip Technology
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Specifiche:	1N4007B-G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1864425 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1864425 pcs

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Specifiche di 1N4007B-G

Modello di prodotti	1N4007B-G	fabbricante	Comchip Technology
Descrizione	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1864425 pcs	Scheda dati	1N4007B-G.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.1V @ 1A	Tensione - inversa (Vr) (max)	1000V
Contenitore dispositivo fornitore	DO-41	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	DO-204AL, DO-41, Axial	Altri nomi	1N4007B-G-ND 641-1967
Temperatura di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 150°C	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41	Corrente - Dispersione inversa a Vr	5µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io)	1A	Capacità a Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
Numero di parte base	1N4007

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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