CDBGBSC20650-G

Comchip Technology

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	CDBGBSC20650-G
Costruttore / Marca:	Comchip Technology
Descrizione del prodotto	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Specifiche:	CDBGBSC20650-G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	19920 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19920 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1020 pcs: $1.863

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Specifiche di CDBGBSC20650-G

Modello di prodotti	CDBGBSC20650-G	fabbricante	Comchip Technology
Descrizione	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	19920 pcs	Scheda dati	CDBGBSC20650-G.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.7V @ 10A	Tensione - inversa (Vr) (max)	650V
Contenitore dispositivo fornitore	TO-247	Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	0ns
Contenitore / involucro	TO-247-3	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky	Configurazione diodo	1 Pair Common Cathode
Descrizione dettagliata	Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Through Hole TO-247-3	Corrente - Dispersione inversa a Vr	100µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	33A (DC)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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