C2M0045170P

Cree Wolfspeed

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	C2M0045170P
Costruttore / Marca:	Cree Wolfspeed
Descrizione del prodotto	ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Specifiche:	C2M0045170P.pdf
Condizione di scorta	990 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 990 pcs

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Specifiche di C2M0045170P

Modello di prodotti	C2M0045170P	fabbricante	Cree Wolfspeed
Descrizione	ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	990 pcs	Scheda dati	C2M0045170P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 18mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247-4L
Serie	C2M™	Rds On (max) a Id, Vgs	59 mOhm @ 50A, 20V
Dissipazione di potenza (max)	520W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-4
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3672pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Tensione drain-source (Vdss)	1700V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1700V 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	72A (Tc)

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Post-Vendita
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