DMG6402LDM-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG6402LDM-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Specifiche:	DMG6402LDM-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	500100 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 500100 pcs

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Specifiche di DMG6402LDM-7

Modello di prodotti	DMG6402LDM-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	500100 pcs	Scheda dati	DMG6402LDM-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	27 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.12W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6	Altri nomi	DMG6402LDM-7DITR DMG6402LDM7
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	404pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1.12W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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