DMN1019UVT-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN1019UVT-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Specifiche:	DMN1019UVT-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	437686 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 437686 pcs

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Specifiche di DMN1019UVT-13

Modello di prodotti	DMN1019UVT-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	437686 pcs	Scheda dati	DMN1019UVT-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	800mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.73W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMN1019UVT-13DI
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2588pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50.4nC @ 8V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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