DMN2400UFB-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN2400UFB-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Specifiche:	DMN2400UFB-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	735303 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMN2400UFB-7

Modello di prodotti	DMN2400UFB-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	735303 pcs	Scheda dati	DMN2400UFB-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	3-X1DFN1006
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	470mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	3-XFDFN	Altri nomi	DMN2400UFB-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	750mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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