DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN3012LFG-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Specifiche:	DMN3012LFG-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	69337 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69337 pcs

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Specifiche di DMN3012LFG-13

Modello di prodotti	DMN3012LFG-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	69337 pcs	Scheda dati	DMN3012LFG-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Potenza - Max	2.2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerLDFN	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 2.2W Surface Mount PowerDI3333-8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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