DMN30H4D0LFDE-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN30H4D0LFDE-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Specifiche:	DMN30H4D0LFDE-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	534236 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 534236 pcs

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Specifiche di DMN30H4D0LFDE-13

Modello di prodotti	DMN30H4D0LFDE-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	534236 pcs	Scheda dati	DMN30H4D0LFDE-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type E)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4 Ohm @ 300mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	630mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-UDFN Exposed Pad	Altri nomi	DMN30H4D0LFDE-13DI
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	187.3pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	300V	Descrizione dettagliata	N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	550mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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