DMP1022UFDE-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMP1022UFDE-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Specifiche:	DMP1022UFDE-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	366485 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 366485 pcs

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Specifiche di DMP1022UFDE-7

Modello di prodotti	DMP1022UFDE-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	366485 pcs	Scheda dati	DMP1022UFDE-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	800mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type E)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	660mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-UDFN Exposed Pad	Altri nomi	DMP1022UFDE-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2953pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42.6nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	P-Channel 12V 9.1A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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