DMTH6010SK3-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMTH6010SK3-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 16.3A
Specifiche:	DMTH6010SK3-13.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	108511 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108511 pcs

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Specifiche di DMTH6010SK3-13

Modello di prodotti	DMTH6010SK3-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 16.3A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	108511 pcs	Scheda dati	DMTH6010SK3-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	DMTH6010SK3-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1940pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36.3nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16.3A (Ta), 70A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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