ZXMN3A06DN8TC

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMN3A06DN8TC
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Specifiche:	ZXMN3A06DN8TC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4741 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4741 pcs

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Specifiche di ZXMN3A06DN8TC

Modello di prodotti	ZXMN3A06DN8TC	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4741 pcs	Scheda dati	ZXMN3A06DN8TC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA (Min)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max	1.8W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A

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Post-Vendita
Specifiche

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