ZXMN6A11GTC

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZXMN6A11GTC
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Specifiche:	ZXMN6A11GTC.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5207 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5207 pcs

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Specifiche di ZXMN6A11GTC

Modello di prodotti	ZXMN6A11GTC	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5207 pcs	Scheda dati	ZXMN6A11GTC.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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