DGD2104MS8-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DGD2104MS8-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	IC GATE DRVR HV SO8
Specifiche:	DGD2104MS8-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	99993 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DGD2104MS8-13

Modello di prodotti	DGD2104MS8-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	IC GATE DRVR HV SO8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	99993 pcs	Scheda dati	DGD2104MS8-13.pdf
Tensione di alimentazione -	10 V ~ 20 V	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Tempo di salita / scadenza (Typ)	70ns, 35ns
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	DGD2104MS8-13DIDKR	temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso	2	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Produttore tempi di consegna standard	14 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 2.5V	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso	Non-Inverting	Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)	600V
Tipo di porta	IGBT, N-Channel MOSFET	Configurazione guidata	Half-Bridge
Descrizione dettagliata	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO	Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)	290mA, 600mA
Base-Emitter Tensione di saturazione (max)	Synchronous

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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