EPC2016C

EPC

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EPC2016C
Costruttore / Marca:	EPC
Descrizione del prodotto	TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Specifiche:	EPC2016C.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	84512 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84512 pcs

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Specifiche di EPC2016C

Modello di prodotti	EPC2016C	fabbricante	EPC
Descrizione	TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	84512 pcs	Scheda dati	EPC2016C.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 3mA	Vgs (Max)	+6V, -4V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)	Contenitore dispositivo fornitore	Die
Serie	eGaN®	Rds On (max) a Id, Vgs	16 mOhm @ 11A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	Die	Altri nomi	917-1080-2
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 18A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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