IRFBE20STRR

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFBE20STRR
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Specifiche:	IRFBE20STRR.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	65820 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65820 pcs

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Specifiche di IRFBE20STRR

Modello di prodotti	IRFBE20STRR	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	65820 pcs	Scheda dati	IRFBE20STRR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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