SQJ980AEP-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SQJ980AEP-T1_GE3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Specifiche:	SQJ980AEP-T1_GE3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	120476 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 120476 pcs

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Specifiche di SQJ980AEP-T1_GE3

Modello di prodotti	SQJ980AEP-T1_GE3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	120476 pcs	Scheda dati	SQJ980AEP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	50 mOhm @ 3.8A, 10V
Potenza - Max	34W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	PowerPAK® SO-8 Dual	Altri nomi	SQJ980AEP-T1_GE3TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TA)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 35V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	75V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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