FDMS86105

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS86105
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V POWER56
Specifiche:	FDMS86105.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	81222 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81222 pcs

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Specifiche di FDMS86105

Modello di prodotti	FDMS86105	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V POWER56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	81222 pcs	Scheda dati	FDMS86105.pdf
Tensione - Prova	645pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	8-PQFN (5x6), Power56
Vgs (th) (max) a Id	34 mOhm @ 6A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Stato RoHS	Digi-Reel®	Rds On (max) a Id, Vgs	6A (Ta), 26A (Tc)
Polarizzazione	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS86105DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	18 Weeks
codice articolo del costruttore	FDMS86105	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11nC @ 10V
Tipo IGBT	±20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 100V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 100V POWER56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V	rapporto di capacità	2.5W (Ta), 48W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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