FQP10N20C

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQP10N20C
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Specifiche:	1.FQP10N20C.pdf 2.FQP10N20C.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	129685 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129685 pcs

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Specifiche di FQP10N20C

Modello di prodotti	FQP10N20C	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	129685 pcs	Scheda dati	1.FQP10N20C.pdf 2.FQP10N20C.pdf
Tensione - Prova	510pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id	360 mOhm @ 4.75A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	QFET®
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	9.5A (Tc)
Polarizzazione	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	6 Weeks	codice articolo del costruttore	FQP10N20C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26nC @ 10V	Tipo IGBT	±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200V
rapporto di capacità	72W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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