GAP3SLT33-220FP

GeneSiC Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GAP3SLT33-220FP
Costruttore / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Specifiche:	GAP3SLT33-220FP.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	8735 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8735 pcs

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Specifiche di GAP3SLT33-220FP

Modello di prodotti	GAP3SLT33-220FP	fabbricante	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	8735 pcs	Scheda dati	GAP3SLT33-220FP.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.7V @ 300mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	3300V
Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FP	Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	0ns
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	TO-220-2 Full Pack
Altri nomi	1242-1183 GAP3SLT33220FP	Temperatura di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	18 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky	Descrizione dettagliata	Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
Corrente - Dispersione inversa a Vr	5µA @ 3300V	Corrente - raddrizzata media (Io)	300mA
Capacità a Vr, F	42pF @ 1V, 1MHz	Numero di parte base	GAP3SLT33

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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