70T633S12BCI8

IDT (Integrated Device Technology)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	70T633S12BCI8
Costruttore / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione del prodotto	IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Specifiche:	1.70T633S12BCI8.pdf 2.70T633S12BCI8.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	666 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di 70T633S12BCI8

Modello di prodotti	70T633S12BCI8	fabbricante	IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione	IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	666 pcs	Scheda dati	1.70T633S12BCI8.pdf 2.70T633S12BCI8.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	12ns	Tensione di alimentazione -	2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia	SRAM - Dual Port, Asynchronous	Contenitore dispositivo fornitore	256-CABGA (17x17)
Serie	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	256-LBGA	Altri nomi	IDT70T633S12BCI8 IDT70T633S12BCI8-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	4 (72 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	9Mb (512K x 18)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	SRAM	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Descrizione dettagliata	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
Numero di parte base	IDT70T633	Tempo di accesso	12ns

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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