70V3579S4DR

IDT (Integrated Device Technology)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	70V3579S4DR
Costruttore / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione del prodotto	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Specifiche:	1.70V3579S4DR.pdf 2.70V3579S4DR.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4409 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 4409 pcs

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Specifiche di 70V3579S4DR

Modello di prodotti	70V3579S4DR	fabbricante	IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4409 pcs	Scheda dati	1.70V3579S4DR.pdf 2.70V3579S4DR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-	Tensione di alimentazione -	3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia	SRAM - Dual Port, Synchronous	Contenitore dispositivo fornitore	208-PQFP (28x28)
Serie	-	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	208-BFQFP	Altri nomi	IDT70V3579S4DR IDT70V3579S4DR-ND
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	1.125Mb (32K x 36)	Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	SRAM	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-PQFP (28x28)	Numero di parte base	IDT70V3579
Tempo di accesso	4.2ns

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Post-Vendita
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