IXFA5N100P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFA5N100P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
Specifiche:	IXFA5N100P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	25702 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25702 pcs

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Specifiche di IXFA5N100P

Modello di prodotti	IXFA5N100P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	25702 pcs	Scheda dati	IXFA5N100P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	6V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263 (IXFA)
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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