IXFB30N120P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFB30N120P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Specifiche:	IXFB30N120P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2440 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2440 pcs

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Specifiche di IXFB30N120P

Modello di prodotti	IXFB30N120P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2440 pcs	Scheda dati	IXFB30N120P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	6.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PLUS264™
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	350 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-264-3, TO-264AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22500pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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