IXFK210N17T

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFK210N17T
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Specifiche:	IXFK210N17T.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5944 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5944 pcs

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Specifiche di IXFK210N17T

Modello di prodotti	IXFK210N17T	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 170V 210A TO-264	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5944 pcs	Scheda dati	IXFK210N17T.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-264AA (IXFK)
Serie	GigaMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	7.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-264-3, TO-264AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	285nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	170V	Descrizione dettagliata	N-Channel 170V 210A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	210A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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