IXFM42N20

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFM42N20
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	POWER MOSFET TO-3
Specifiche:	IXFM42N20.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5761 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5761 pcs

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Specifiche di IXFM42N20

Modello di prodotti	IXFM42N20	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	POWER MOSFET TO-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5761 pcs	Scheda dati	IXFM42N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-204AE
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-204AE
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4400pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	42A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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