IXFN20N120

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFN20N120
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Specifiche:	IXFN20N120.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3911 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3911 pcs

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Specifiche di IXFN20N120

Modello di prodotti	IXFN20N120	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3911 pcs	Scheda dati	IXFN20N120.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	750 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	780W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 20A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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