IXFR15N100Q3

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFR15N100Q3
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Specifiche:	IXFR15N100Q3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	7167 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7167 pcs

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Specifiche di IXFR15N100Q3

Modello di prodotti	IXFR15N100Q3	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	7167 pcs	Scheda dati	IXFR15N100Q3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	6.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOPLUS247™
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	400W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3250pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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