IXFY4N85X

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFY4N85X
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Specifiche:	IXFY4N85X.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	66973 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66973 pcs

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Specifiche di IXFY4N85X

Modello di prodotti	IXFY4N85X	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	66973 pcs	Scheda dati	IXFY4N85X.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252 (IXFY)
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	850V
Descrizione dettagliata	N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252 (IXFY)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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