IXTA2N100P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTA2N100P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Specifiche:	IXTA2N100P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	32935 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32935 pcs

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Specifiche di IXTA2N100P

Modello di prodotti	IXTA2N100P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	32935 pcs	Scheda dati	IXTA2N100P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263 (IXTA)
Serie	Polar™	Rds On (max) a Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	86W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	655pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24.3nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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