IXTB30N100L

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTB30N100L
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Specifiche:	IXTB30N100L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2081 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2081 pcs

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Specifiche di IXTB30N100L

Modello di prodotti	IXTB30N100L	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2081 pcs	Scheda dati	IXTB30N100L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PLUS264™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 20V
Dissipazione di potenza (max)	800W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-264-3, TO-264AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	545nC @ 20V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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