IXTH12N70X2

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTH12N70X2
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	IXTH12N70X2.pdf
Condizione di scorta	18757 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18757 pcs

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Specifiche di IXTH12N70X2

Modello di prodotti	IXTH12N70X2	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	18757 pcs	Scheda dati	IXTH12N70X2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	700V	Descrizione dettagliata	N-Channel 700V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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