IXTH14N100

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTH14N100
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Specifiche:	IXTH14N100.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5231 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5231 pcs

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Specifiche di IXTH14N100

Modello di prodotti	IXTH14N100	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5231 pcs	Scheda dati	IXTH14N100.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247 (IXTH)
Serie	MegaMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	820 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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