IXTN21N100

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTN21N100
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Specifiche:	IXTN21N100.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3301 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3301 pcs

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Specifiche di IXTN21N100

Modello di prodotti	IXTN21N100	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3301 pcs	Scheda dati	IXTN21N100.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 500µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-227B
Serie	MegaMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	550 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	520W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Chassis Mount	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8400pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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