IXTP01N100D

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTP01N100D
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Specifiche:	IXTP01N100D.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	35075 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35075 pcs

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Specifiche di IXTP01N100D

Modello di prodotti	IXTP01N100D	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	35075 pcs	Scheda dati	IXTP01N100D.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	607074 Q1614635
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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