IXTP08N100P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTP08N100P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
Specifiche:	IXTP08N100P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	58327 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58327 pcs

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Specifiche di IXTP08N100P

Modello di prodotti	IXTP08N100P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	58327 pcs	Scheda dati	IXTP08N100P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	Polar™	Rds On (max) a Id, Vgs	20 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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