IXTY2N80P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTY2N80P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
Specifiche:	IXTY2N80P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	97657 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97657 pcs

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Specifiche di IXTY2N80P

Modello di prodotti	IXTY2N80P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	97657 pcs	Scheda dati	IXTY2N80P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Serie	PolarHV™	Rds On (max) a Id, Vgs	6 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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