Infineon Technologies| Modello di prodotti | IRF6648TR1 | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4223 pcs | Scheda dati | IRF6648TR1.pdf |
| Tensione - Prova | 2120pF @ 25V | Tensione - Ripartizione | DIRECTFET™ MN |
| Vgs (th) (max) a Id | 7 mOhm @ 17A, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | HEXFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 86A (Tc) | Polarizzazione | DirectFET™ Isometric MN |
| Altri nomi | IRF6648 IRF6648-ND SP001571492 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 2 (1 Year) |
| codice articolo del costruttore | IRF6648TR1 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9V @ 150µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 60V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60V |
| rapporto di capacità | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
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