IRF6645TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6645TRPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6645TRPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	74116 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74116 pcs

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Specifiche di IRF6645TRPBF

Modello di prodotti	IRF6645TRPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	74116 pcs	Scheda dati	IRF6645TRPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.9V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ SJ
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric SJ	Altri nomi	IRF6645TRPBFDKR
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta), 25A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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