IPB180P04P4L02ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IPB180P04P4L02ATMA1
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Specifiche:	IPB180P04P4L02ATMA1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	53041 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53041 pcs

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Specifiche di IPB180P04P4L02ATMA1

Modello di prodotti	IPB180P04P4L02ATMA1	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	53041 pcs	Scheda dati	IPB180P04P4L02ATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 410µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO263-7-3
Serie	OptiMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Altri nomi	IPB180P04P4L02ATMA1TR SP000709460
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18700pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	286nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	P-Channel 40V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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