IRF200B211

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF200B211
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Specifiche:	IRF200B211.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	115122 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115122 pcs

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Specifiche di IRF200B211

Modello di prodotti	IRF200B211	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	115122 pcs	Scheda dati	IRF200B211.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.9V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	SP001561622
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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